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[发明专利]将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统-CN202011094562.9在审
发明人：绍加塔·达斯·普尔卡亚斯塔;斯里坎斯·杜姆库尔·希瓦南德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：公开了一种将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统。该方法包括：由NAND卸载设备从键值固态驱动器(KV SSD)NAND接口接收NAND读命令，其中，NAND卸载设备使用NAND总线连接在KV SSD NAND接口和NAND装置之间；由NAND卸载设备确定NAND读命令是否包括指示间接读操作的信息元素；基于确定NAND读命令包括该信息元素，由NAND卸载设备执行间接读操作；以及基于确定NAND读命令不包括该信息元素：由NAND卸载设备通过NAND总线将NAND读命令传递给NAND装置，并且由NAND卸载设备配置开关以在输出门处将来自NAND装置的响应消息传递给KV SSD NAND接口。
查找操作卸载 nand 设备方法系统

[发明专利]一种NAND复位方法、装置、电子设备和存储介质-CN201910837315.4有效
发明人：吴春晓 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND复位方法、装置、电子设备和存储介质。其中，NAND复位方法，包括：在完成NAND控制器的初始化时，延迟预设时间后向NAND发送复位指令；获取所述NAND反馈的NAND状态；若根据所述NAND状态判定所述NAND为待机状态，则根据NANDID判断所述NAND是否复位成功。本发明解决了对NAND复位操作误判的问题，提高了在NAND存储设备上电初始化阶段NAND复位操作的稳定性及准确性。
一种 nand 复位方法装置电子设备存储介质

[发明专利]NAND闪存卡-CN201911399419.8在审
发明人：刘基圣;孙成思 -专利权人：深圳市优黎泰克科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及NAND闪存卡，所述NAND闪存卡包括：NAND闪存；以及接口部，其与所述NAND闪存可拆卸地联接，且将所述NAND闪存与主机连接，以在主机中使用所述NAND闪存。
nand 闪存卡

[发明专利]基于主控芯片的NAND BOOT启动方法和装置-CN201811518853.9有效
发明人：刘坚;冯元元;冷志源 -专利权人：深圳忆联信息系统有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于主控芯片的NAND BOOT启动方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：获取基于主控芯片的NAND BOOT启动请求；根据所述请求读取内部NAND FLASH参数；若所述内部NAND FLASH参数不匹配，则根据所述主控芯片的GPIO管脚选择与NAND FLASH颗粒匹配的协议以及操作模式，并从外部读取NAND FLASH参数；运行所述从外部读取的NAND FLASH参数；若所述从外部读取的NAND FLASH参数运行失败，则所述主控芯片重新Training出匹配的NAND FLASH参数，保存匹配的NAND FLASH参数并加载BOOT文件运行。本发明通过自动Training NAND FLASH参数的方法使得主控芯片的兼容性大大提高，能够适配多种类型和参数的NAND FLASH颗粒，让主控芯片NAND BOOT成功率更高。
基于主控芯片 nand boot 启动方法装置

[发明专利]NAND闪存信息提取方法和NAND闪存自动识别方法-CN200610130765.2无效
发明人：何菊 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND信息提取方法，首先定义一个数据结构，描述NAND必需的信息，其中包括NAND的CHIP ID；将多种类型的NAND的必需信息以所述数据结构保存下来，形成多张NAND信息表；并设置多个指针指向所述多个NAND信息表；在NAND初始化时读取NAND的CHIP ID，找到对应信息表，即可得到NAND必需的信息，在读写数据时根据所述必需信息进行地址的计算，即可对正确的物理地址进行数据读写。本发明还公开了一种NAND闪存自动识别方法，可以自动识别不同类型的NAND。本发明方法简单，只用一套底层驱动，即可支持多种类型的NAND闪存，从而实现自动识别NAND。可以广泛应用于所有使用NAND闪存作为存储器的领域中。
nand 闪存信息提取方法自动识别

[发明专利]一种利用MRAM保护NAND的方法及存储结构-CN201510142189.2在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供一种利用MRAM保护NAND的方法，包括以下步骤：(1)收到写NAND页指令，在MRAM中的写缓存表中查找MRAM中的写缓存中是否存在NAND页对应的MRAM页，如果不存在，执行步骤(2)；如果存在，执行步骤(3)；(2)在写缓存中查找空闲的MRAM页，作为NAND页对应的MRAM页；(3)将写NAND页指令中的数据写入NAND页对应的MRAM页，在清理写缓存时，将数据写入NAND页。本发明还提供一种利用MRAM保护NAND的存储结构。本发明将写入NAND的数据缓存在MRAM中，在清理写缓存时才将数据写入NAND，减少擦写NAND的次数，延长NAND的使用寿命。
一种利用 mram 保护 nand 方法存储结构

[发明专利]具有NAND缓冲器的NAND闪速存储设备-CN201810391996.1有效
发明人：莫尼什·沙阿 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及具有NAND缓冲器的NAND闪速存储设备。至少一个方面涉及NAND闪速存储设备，所述NAND闪速存储设备包括多个NAND闪存芯片和控制器。所述控制器被配置成通过输入/输出(I/O)总线接收数据，并且将所接收的数据写入到所述多个NAND闪存芯片中的第一NAND闪存芯片和所述多个NAND闪存芯片中的第二NAND闪存芯片。到每个NAND闪存芯片的写入操作在时间上不重叠。所述控制器被配置成从所述第一NAND闪存芯片或所述第二NAND闪存芯片中当前未执行写入操作的任何一个读取数据，以使得读取操作不会被排队在写入操作后面。
具有 nand 缓冲器存储设备

[实用新型]基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置-CN200820093441.0无效
发明人：吴江东;范世杰;游江;鲁礼元 -专利权人：浩通科技(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置，包括NAND闪存，其还包括与所述NAND闪存连接的NAND闪存控制器，用于将NAND闪存的NAND接口转换为SRAM接口。所述NAND闪存控制器包括指令发生单元以及与所述指令发生单元连接的数据缓存单元、地址译码单元、忙闲指示单元、坏块探测单元。本实用新型旨在解决现有技术需要将NOR闪存或SDRAM与NAND闪存集成在一个芯片内才能提供SRAM接口的缺陷，通过增加NAND闪存控制器来利用NAND闪存实现启动，只需要单片NAND闪存就可完成NAND
基于可编程逻辑器件 nand 闪存启动装置

[实用新型]一种NAND FLASH内存的写保护电路及NAND FLASH内存-CN201520989205.7有效
发明人：黄小洪;余贤沐;刘卫青 -专利权人：深圳市多尼卡电子技术有限公司;深圳市航电技术研究院;深圳多尼卡互联技术有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种NAND FLASH内存的写保护电路及NAND FLASH内存，涉及电路领域。本实用新型提供一种NAND FLASH内存的写保护电路连接于NAND FLASH内存芯片与上位机之间，写保护电路包括：与上位机和NAND FLASH内存芯片相连，受控于上位机、向NAND FLASH内存芯片的写保护端输出低电平以控制NAND FLASH内存芯片进入写保护状态的控制单元。通过将控制单元连接于上位机和NAND FLASH内存芯片之间，上位机控制其向NAND FLASH内存芯片的写保护端输出低电平以控制NAND FLASH内存芯片进行写保护，进而使得NAND FLASH内存避免了因为用户的误操作或存储文件在程序上出现漏洞导致NAND FLASH内存中文件丢失的现象，进一步解决了NAND FLASH内存因为文件的丢失需要返厂维修，导致维护NAND FLASH内存的成本增加的问题。
一种 nand flash 内存写保护电路

[发明专利]NAND闪存参数自动检测系统-CN201010564749.0有效
发明人：林志豪;何家良 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：一个NAND闪存参数自动检测系统包括：一个有多个参数的NAND闪存装置和一个闪存控制器；闪存控制器被设置以自动检测NAND闪存参数，过程包括：读取NAND闪存装置的装置标识符，如果返回一个有效装置标识符就继续进行，检测NAND闪存装置的地址周期和区块类型，检测NAND闪存装置的页面尺寸，检测NAND闪存装置的空闲尺寸，检测NAND闪存装置的存储容量，并检测NAND闪存装置的区块尺寸。
nand 闪存参数自动检测系统

[发明专利]一种对NAND进行操作的方法及装置-CN201510069243.5在审
发明人：邱东升 -专利权人：北京君正集成电路股份有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种对NAND进行操作的方法及装置，用于在包括多块NAND的情况下提高对所有NAND进行操作的效率。该方法包括：判断系统中存在几块NAND；若只存在一块NAND，判断是否可对该NAND进行two-plane操作，如果可以，按照预先设置的two-plane操作方式向该NAND中写入待写入数据；若存在多块NAND，按照预先设置的写数据操作，将待写入数据按序写入每一块NAND中。可见该方法可充分利用写等待时间，大大提高了对多个NAND进行操作的效率。
一种 nand 进行操作方法装置

[发明专利]SD NAND测试装置、SD NAND测试方法及计算机可读存储介质-CN202310859930.1在审
发明人：覃义平;高伟 -专利权人：联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开一种SD NAND测试装置，该SD NAND测试装置包括：多个SD NAND测试座，用于分别搭载SD NAND并对所述SD NAND进行测试；主控单片机，与多个所述SD NAND测试座采用SDIO总线通信连接，用于向多个所述SD NAND测试座逐一发送测试指令；测试数据采集模块，包括多路ADC采集电路模块，分别与多个所述SD NAND测试座和所述主控单片机通信连接，所述多路ADC采集电路模块用于采集所述SD NAND测试座的测试数据；上位机，与所述主控单片机通信连接，所述上位机的测试界面可预先设置多个SD NAND测试座的测试顺序；其中，在任意一个所述SD NAND测试座完成测试之后，所述主控单片机按预设测试顺序向下一个所述SD NAND测试座发送测试指令。本发明SD NAND测试装置故障检测效率高，可减小对测试进度的影响。
sd nand 测试装置方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种Nand Flash测试方法、系统及装置-CN202010300859.X有效
发明人：李栋 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种Nand Flash测试方法、系统及装置，包括：发送测试广播至各Nand测试板卡；接收各Nand测试板卡发送的连接请求；利用连接请求，建立与各Nand测试板卡的连接，并添加至监视列表中；接收测试板卡选择信息并从监视列表中选择对应的目标Nand测试板卡进行测试，并将目标Nand测试板卡从监视列表中移除；接收目标Nand测试板卡发送的测试结果，并添加至监视列表中；本申请设置监视列表将各Nand测试板卡存储至监视列表中，通过监视列表对各Nand测试板卡进行测试调用，测试中的目标Nand测试板卡从监视列表中去除，避免重复接收测试指令，测试结束后的目标Nand测试板卡则重新添加回监视列表中，实现了对多个Nand测试板卡并行异步的有效管理，提高了测试效率。
一种 nand flash 测试方法系统装置

[发明专利]一种调整NAND FLASH频率的方法及装置-CN202110136260.1在审
发明人：申红磊;李骊 -专利权人：北京华捷艾米科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种调整NAND FLASH频率的方法及装置，当环境变化时，会引起NAND控制器的配置信息与最佳读写频率不匹配，进而导致的存储操作错误，该方法为了解决这一问题，动态调整NAND FLASH的读写频率，同时调整NAND控制器的配置信息，使配置信息与NAND FLASH的读写频率相匹配，降低环境或器件本身变化对读写频率的影响，保证NAND控制器控制的准确性，进而保证NAND FLASH存储操作的成功率并且，将配置后的NAND控制器的配置信息写入到NAND FLASH，使启动时可以从NAND FLASH获取配置信息，保证NAND控制器配置的速度，节省启动时间，提高整体效率。
一种调整 nand flash 频率方法装置

[发明专利]NAND闪存存储设备及对其进行数据操作的方法-CN201310247539.2有效
发明人：楚洪涛 -专利权人：酷丰实业（上海）有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明适用于数据存储技术领域，提供了一种NAND闪存存储设备及对其进行数据操作的方法。所述NAND闪存存储设备具有多个通道，每个通道包含若干NAND闪存；各个通道内相同次序的NAND闪存构成一组NAND闪存单元，每个NAND闪存单元组内均有一个NAND闪存用于存储奇偶校验码，且各个NAND闪存单元组内的用于存储奇偶校验码的NAND闪存分属于不同的通道。本发明借鉴了RAID3和RAID5的优点，并针对NAND闪存的特点做了进一步改进。NAND闪存存储设备同时具备数据检测/数据更正，奇偶校验双重校验机制，数据的可靠性大大提高。
nand 闪存存储设备进行数据操作方法

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